内容字号:默认大号超大号

段落设置:段首缩进取消段首缩进

字体设置:切换到微软雅黑切换到宋体

台积电推出7nm和5nm制造工艺,性能更佳

2019-07-31 15:48 出处:未知 人气:151
据国外媒体AnandTech报道,台积电(TSMC)已悄然推出了7nm深紫外DUV(N7)和5nm极紫外EUV(N5)制造工艺性能增强版。该公司的N7P和N5P技术是为那些需要7nm设计才能运行得更快或耗电更少的客户而设计的。
 
台积电新的N7P工艺采用与N7相同的设计规则,优化前端(FEOL)和中端(MOL),在相同功率下提高7%的性能,或在相同频率下降低10%的功耗。
 
据报道,台积电今年在日本举行的超大规模集成电路研讨会上首次披露了相关信息,但没有广泛宣传。N7P采用已证实的深紫外(DUV)光刻技术,与N7相比不改变晶体管密度。
 
台积电客户要求晶体管密度约为18%至20%,预计将使用N7+N6技术。其中,N6工艺采用极紫外(EUV)光刻技术进行多层处理。
 
另外,下一个具有显著密度、改进的功耗和性能的主要节点是N5(5nm),它提供了一个称为N5P的性能增强版本。该技术采用FEOL和MOL优化功能,使芯片在相同功率下的运行速度提高了7%,或在相同频率下降低了15%的功耗。
 
分享给小伙伴们:

相关文章

Copyright © 2018-2019 91站长网 www.91iis.com All Rights Reserved.

渝ICP备88888888号